SMCJ45CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 5...
SMCJ6044, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 64 A; 最大反向漏电流: ...
MAX3205EABL-T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-9,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
P6KA13AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 2 ...
SMLJ85AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 20.8 A; 最大反向漏电...
1N5652A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏电流: ...
HSP061-2P6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ST Micro,封装:SOT-666-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact D...
5KP26A-E, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 119 A; 最大反向漏电流: ...
VPORT0603100MV05,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:INPAQ,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:34 V; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:15 u...
SMAJ30A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
MAX13206EALA+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UDFN-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:12; ESD保护电压:±30@Air Gap/±14@Contact Disc/±15@HBM kV; ...
PTVS40VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流...
CD214B-T6.0ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 58.3 A; 最大反向漏电流: 8...
D1213A-01W-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SA18CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18V 500W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电流: ...
30KPA170CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 110.2 A;...
SMCJ150CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
TPSMC12A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89.8 A; 最大反向漏电流:...
SMM4F12A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 400W,品牌:ST,封装:DO-222AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 91 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
SMAJ170CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
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