1N6152AUS
1N6152AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40.1 A; 最大反向漏...
P6KE10AHE3
P6KE10AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 41.4 A; 最大反向漏电流: ...
MPT-8C
MPT-8C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 25 uA...
BZG04-36TR
BZG04-36TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 36V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 60.7 V; 最大反向关态电压: 36 V...
SMCJ5657A
SMCJ5657A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向...
SMAJ28CAHE3
SMAJ28CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMCJ40A-13-F
SMCJ40A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流: ...
MAX3202EEBS+T
MAX3202EEBS+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
1N6159
1N6159, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ5640AE3
SMCJ5640AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54 A; 最大...
MMAD1108
MMAD1108,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:75 V;...
PTVS9V0S1UTR,115
PTVS9V0S1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 26 A; 最大反向漏电流:...
P6KE39A-E3
P6KE39A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: ...
LC9.0
LC9.0, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 89 A; 最大反向漏电流: 10 uA...
1N6137A
1N6137A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
DF10G7M1N,LF
DF10G7M1N,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±8@Contact Dis...
SMCG8.5CAHE3
SMCG8.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向漏电流:...
TGL41-68A-E3
TGL41-68A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-213AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏...
SMLJ28E3
SMLJ28E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: ...
P4SMA51CAHE3
P4SMA51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43.6V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...