SM8S28AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 145 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6053A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流:...
TMPG06-18HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14.5V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.1 A; 最...
P4SMA220CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 185V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.9 A; 最大反向漏电流: 1 u...
5KP70E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBJ51CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.3 A; 最大反向漏电流:...
SMBG150CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 150V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMDA12C-8/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 12V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电...
MAX3203EEWT+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:WLP-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Triple; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap|±8@Contact Disc|±15@HB...
SZ1SMA13AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA...
SMCJ48AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 48V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.4 A; 最大反向...
LC43A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.6 A; 最大反向漏电流: 10...
1N6106US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流:...
ICTE15C-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 uA...
1.5SMC12AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
5KP54A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 57.4 A; 最大反向漏电流...
SMCJ85CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流...
SMCJ5663, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 138V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏...
SESD0402X1BN-0010-098,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc ...
SMA6J15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 4KW,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4000 W; 最大峰值脉冲电流: 123 A; 最大反向漏电流: 0.2 ...
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