IRFP2907
IRFP2907,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.5mOhms,Id=209A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF8304M
IRF8304M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,Id=170A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5106
IRFH5106,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7734-7P
IRFS7734-7P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak 7-Lead封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.05mOhms,Id=197A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3036
IRLB3036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=270A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB23N20D
IRFB23N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB7787
IRFB7787,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.4mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBF4392LT1G
MMBF4392LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRFP4868
IRFP4868,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=300V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=32.0mOhms,Id=70A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB3004
IRFB3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MX2N4856
MX2N4856,场效应晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-18-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRFR3709ZC
IRFR3709ZC,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:NEC,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:88 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
IRFSL4010
IRFSL4010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLZ34NS
IRLZ34NS,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=35.0mOhms,Id=30A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS7730
IRFS7730,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.6mOhms,Id=246A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1404S
IRF1404S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.0mOhms,Id=162A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3206
IRFSL3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF556A,235
BF556A,235,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:7 mA; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
IRFH5250
IRFH5250,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.15mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562