IRFH5006
IRFH5006,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.1mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF-331M4-TR2
ATF-331M4-TR2,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1C-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Micro-X-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Surface Moun...
IRFSL7534
IRFSL7534,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=195A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J112_D26Z
J112_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-35 V; 最大漏极栅极电压:35 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBF4091
MMBF4091,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLH5036
IRLH5036,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=4.4mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5302D
IRFH5302D,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J106
J106,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLML2803
IRLML2803,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=250.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6635
IRF6635,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CLF1G0060-10U
CLF1G0060-10U,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:CDFM-2,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:150(Min) V; 最大门源电压:3 V; 工作温度:-65 to 250 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7483M
IRF7483M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MF封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=135A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2807S
IRF2807S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=82A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF1503
IRF1503,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=240A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6633A
IRF6633A,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MU封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,Id=69A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH4213
IRFH4213,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.35mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6614
IRF6614,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB38N20D
IRFB38N20D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=54.0mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS41N15D
IRFS41N15D,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=150V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=41A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562