KSA1156YS
KSA1156YS,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压...
DTA115EKAT146
DTA115EKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
DTA115EMT2L
DTA115EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
BC856BW,135
BC856BW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
BD437
BD437,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR540,235
BFR540,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.12 A; 最小DC直流电流增益:100@40mA@8V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度...
2SC5086-O(TE85L,F)
2SC5086-O(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-416-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:80@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 125...
2SC5866TLR
2SC5866TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:180@100mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@1A V...
2SC4097T106R
2SC4097T106R,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:180@10mA@3V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@50...
NSTB1005DXV5T1G
NSTB1005DXV5T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-553-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V@NPN|80@PNP...
BCW71,215
BCW71,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V|90(Typ)@10uA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极...
2SA1201
2SA1201,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJE350
MJE350,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA V; 最大...
2PD601ASL,215
2PD601ASL,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:90@0.1A@2V|290@2mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极...
NSBC123JDXV6T5G
NSBC123JDXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
APT13005DTF-G1
APT13005DTF-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-220F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:15@1A@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@1A|0.6@0.5@...
DTA015TEBTL
DTA015TEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-416FL-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
DTC143ESA
DTC143ESA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=20,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PEMZ7,315
PEMZ7,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.22@10...
CPH5901G-TL-E
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...