2SC4097T106Q
2SC4097T106Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@10mA@3V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@50...
QST6TR
QST6TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A V; 最...
DTA113ZSA
DTA113ZSA,PNP数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=1K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1317(TE85L,F)
RN1317(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2PB709ARW,115
2PB709ARW,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:210@2mA@10V; 最大工作频率:70(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@1...
SPZT751T1G
SPZT751T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:75@50mA@2V|75@500mA@2V|75@1A@2V|40@2A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@2...
2N2222AHR
2N2222AHR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1A@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA...
2DD2661-13
2DD2661-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:170(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA...
MMSTA13-7-F
MMSTA13-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
2SC3647T-TD-E
2SC3647T-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
BD244C-S
BD244C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V; 工作温度:-65 to...
TIP126
TIP126,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IMX9T110
IMX9T110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:560@10mA@3V; 最大工作频率:350(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@20mA@500mA ...
DMC561040R
DMC561040R,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SMini5-F3-B-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-40 to 85 ℃; ...
BC69PA,115
BC69PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V|40@2A@1V; 最大工作频率:140(Typ) MHz...
BC55PA,115
BC55PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极...
MJE5852
MJE5852,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:15@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@1A@4A|5@3A@8A ...
2SC5065-Y(TE85L,F)
2SC5065-Y(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:120@10mA@5V; 最大工作频率:7000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 ...
MJD47G
MJD47G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A...
NJVMJD117T4G
NJVMJD117T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2...