2N5551K
2N5551K,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.2V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2412
2SC2412,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=7V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=160+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1658
2SB1658,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=150,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.5V,fr=95+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC4134S-TL-E
2SC4134S-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@40mA@4...
2N6426G
2N6426G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:20000@10mA@5V|30000@100mA@5V|20000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压...
MJD122-1
MJD122-1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-251-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16m...
NST847BDP6T5G
NST847BDP6T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
TIP31BG
TIP31BG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3...
MMBT2369A
MMBT2369A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@1V|20@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@1mA@10mA|0.2...
DTA044TUBTL
DTA044TUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-323FL-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:60 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
ZTX614STZ
ZTX614STZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:5000@100mA@5V|10000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.25@8...
STC03DE170
STC03DE170,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-65 to 125 ℃; 所属系列:STC03DE170; 安装方式:Th...
BCR533E6327HTSA1
BCR533E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
TIP120
TIP120,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@...
2SA1318
2SA1318,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE662M04-A
NE662M04-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:3.3 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@2V; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-65 ...
PZT2222A
PZT2222A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@15...
FMMT458TA
FMMT458TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.225 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(Min)...
MMBT5962
MMBT5962,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:450@10uA@5V|500@100uA@5V|550@1mA@5V|600@10mA@5V; 最大集电极...
PUMH30,115
PUMH30,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...