BC847SH6433XTMA1
BC847SH6433XTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
NJV4031NT1G
NJV4031NT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.5A@1V|200@1A@1V|100@3A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@5mA@0.5A|...
MMBT2222AT
MMBT2222AT,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-523F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@1V|50@1mA@1V|75@10mA@1V|100@150mA@1V; 最大工...
BC857BWE6327
BC857BWE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@...
BC857BFE6327
BC857BFE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSFP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5...
PBSS305PD,115
PBSS305PD,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:175@500mA@2V|145@1A@2V|55@2A@2V|20@3A@2V; 最大工作频率:110(Typ) ...
BD244C
BD244C,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1A@6A V; 最大集电极基极...
NJD35N04G
NJD35N04G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:2000@2A@2V|300@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@20mA@2A V; 最大集电极基极...
PHPT610030PKX
PHPT610030PKX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:LFPAK-56D-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:150@500mA@10V|80@1A@10V|20@2A@10V|10@3A@10V; 最大集电极发射极...
MUN5138T1G
MUN5138T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BD682
BD682,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:...
BCP56-16,135
BCP56-16,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@...
KSE45H11TU
KSE45H11TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V; 最大工作频率:40(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8...
IMX4T108
IMX4T108,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:27@10mA@10V; 最大工作频率:1500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@4mA@20mA ...
M8550S
M8550S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2712-O(TE85L,F)
2SC2712-O(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-236MOD-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@0.1A V; ...
CPH5902G-TL-E
CPH5902G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
BC856S,125
BC856S,125,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10m...
MMBT5550LT3G
MMBT5550LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.06 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@1mA@...
EMG6T2R
EMG6T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...