2SA1943
2SA1943,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3500mW,Ic=15000mA,BVcbo=230V,BVceo=230V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1207T
2SD1207T,功率晶体管,品牌:ON,封装:Case-3 MP,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A V;...
KTD1351
KTD1351,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=300,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC143ZUAT106
DTC143ZUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
2SB1695TL
2SB1695TL,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.37@50mA@1A...
ZTX614STZ
ZTX614STZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:5000@100mA@5V|10000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.25@8...
DDB6U134N16RR
DDB6U134N16RR,二极管模块带有斩波IGBT,品牌:Infineon,封装:Module-19,参数:分类:Diode Module with Chopper-IGBT; 引脚数目:19; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:DDB6U134N16RR; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
FMS1AT148
FMS1AT148,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-5,参数:类型:PNP; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50mA V...
BC846BLT1G
BC846BLT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
ULN2004AINSR
ULN2004AINSR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V;...
2N5089G
2N5089G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:400@0.1mA@5V|450@1mA@5V|400@10mA@5V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极...
BSV52,215
BSV52,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@1V|40@10mA@1V|25@50mA@1V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集...
BC80740WE6433
BC80740WE6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大...
NE85639-A
NE85639-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:2...
BD139-16
BD139-16,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.05A@0.5A V; ...
BC557
BC557,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD243T4G
MJD243T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|15@1A@1V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@50mA...
CJF715
CJF715,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=140V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=50+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2001D1013TR
ULN2001D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250...
MMBTA28-7-F
MMBTA28-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...