2SB852KT146B
2SB852KT146B,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:32 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@0.1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.4mA@200mA V; 最大集电极基...
SMUN5330DW1T1G
SMUN5330DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:3@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
FZT948TA
FZT948TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|75@5A@1V|60@10A@1V|15@20A@2V; 最大工作频率...
BSP60E6327
BSP60E6327,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大...
BC847BW,115
BC847BW,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
DDA123JH-7
DDA123JH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-838...
BC846W,135
BC846W,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10m...
FJY3002R
FJY3002R,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-523F-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BFR92P E6327
BFR92P E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.045 A; 最小DC直流电流增益:70@15mA@8V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V;...
2STL2580-AP
2STL2580-AP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92 Mod-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:60@250mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.2A@1A V; 工...
PEMB1,115
PEMB1,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
ULQ2004ADG4
ULQ2004ADG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
TPCP8J01(TE85L,F,M)
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...
NSVMMUN2232LT1G
NSVMMUN2232LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA...
ZXTP19020DZTA
ZXTP19020DZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@2V|200@2A@2V|65@6A@2V; 最大工作频率:176(Typ) MHz; ...
MMBT6427
MMBT6427,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|14000@500mA@5V; 最大集...
KTC3197
KTC3197,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=50mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=4V,hfe(Min)=20,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.2V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M8050
M8050,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP102
TIP102,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3...