SMBJ10A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
P6KE200CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1.5KE11CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96 A; 最大反向漏电流: 1...
BZW04-48HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电...
STRVS252X02F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 171V,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 252 V; 最大反向关态...
RCLAMP0504S.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Dis...
SMLJ110A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 16.8 A; 最大反向...
P6SMB8.2CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 49.6 A; 最大反向漏电流: 4...
SMBJ170CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电...
SMCJ100AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反...
SMAJ160E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电...
1.5KE7V5CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 132 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6065AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向...
SMLJ6.5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 267.9 A; 最大反向...
SMCJ5648A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大...
P6KE350CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 300V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.25 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMAJ75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: ...
PJSOT08_R1_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 500W,品牌:Panjit,封装:3SOT-23,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34 A; 最大反向漏电...
LC03-3.3TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SO-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:18 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; ...
SMCG70A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电流: 1...
产品展示
Product show