SMCJ6067E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏...
SMCJ6067AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏电...
SMCJ6067A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6067, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6066E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏...
SMCJ6066AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向...
SMCJ6066A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电...
SMCJ6066, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6065E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 95V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电...
SMCJ6065AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向...
SMCJ6065A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.9 A; 最大反向漏电...
SMCJ6065, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 95V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.5 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6064E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电...
SMCJ6064AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏...
SMCJ6064A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6064, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6063E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏...
SMCJ6063AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 82V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电...
SMCJ6063A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 82V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6063, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏电流...
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