SMC3K58CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 58V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 32.1 A; ...
SMLJ70CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: 2...
DVIULC6-4SC6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@...
5KP24E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 116 A; 最大反向漏电流: ...
SMAJ14E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.4 A; 最大反向漏电流...
B72590D 150H 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOD-723-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:66 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; ...
1.5KE180CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流:...
60KS200CH1, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 180V 60KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 60000 W; 最大峰值脉冲电流: 180 A; 最大反向漏...
DFLT14A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 9.7 A; 最大...
P4KE20CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.4 A; 最大反向漏电流...
SMBJ14A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.9 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ45E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.5 A; 最大反向漏电流:...
SA85A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SATAULC6-2M6,ESD静电抑制器,品牌:ST Micro,封装:UQFN-6,参数:引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:19 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc KV; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:...
1N6473, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 207 A; 最大反向漏电流: ...
1.5KE300A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 256V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流...
RCLAMP0554S.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±30@Air Gap/±25@Contact ...
1N6154A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流...
SMBG7.0AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 200 u...
P6KE91A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 77.8V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.8 A; 最大反向漏电流: 5 ...
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