SMCJ6057E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏...
SMCJ6057AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向...
SMCJ6057A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电...
SMCJ6057, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.6 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6056E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 41V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.4 A; 最大反向漏...
SMCJ6056AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向...
SMCJ6056A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电...
SMCJ6056, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 41V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.4 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6055E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.2 A; 最大反向漏...
SMCJ6055AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向...
SMCJ6055A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电...
SMCJ6055, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.2 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6054E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 34V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流...
SMCJ6054AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向...
SMCJ6054A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电...
SMCJ6054, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 34V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 24 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ6053E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 31V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏...
SMCJ6053AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电...
SMCJ6053A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ6053, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 31V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 26.5 A; 最大反向漏电流...
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