15KP30A/TR8
15KP30A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 296 A; 最大反...
30KPA72AE3
30KPA72AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 72V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 265.8 A; ...
SMCJ170CE3
SMCJ170CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏...
SMLJ6.0CAE3
SMLJ6.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 291.3 A; 最大反向漏电...
SMLJ20AE3
SMLJ20AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 92.6 A; 最大反向漏电...
CDDFN10-3324P
CDDFN10-3324P, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Directional 3.3V 30W,品牌:Bourns,封装:DFN-10,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流...
1SMB70AT3G
1SMB70AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
P4KE56D-E3
P4KE56D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: 1...
SMLJ85E3
SMLJ85E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.8 A; 最大反向漏电流...
5KP60A-E3
5KP60A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 51.7 A; 最大反向漏电流...
PJSOT08_R2_00001
PJSOT08_R2_00001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 500W,品牌:Panjit,封装:3SOT-23,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34 A; 最大反向漏电...
SR12.TCT
SR12.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:31 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV...
1N6172A
1N6172A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流...
SMLJ26AE3
SMLJ26AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 71.2 A; 最大反向漏电...
SMA6T30AY
SMA6T30AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 75 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...
D1213A-04MR-13
D1213A-04MR-13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:MSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contac...
SMAJ7.0CE3
SMAJ7.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.8 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ120CAHE3
SMAJ120CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6111A
1N6111A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流: ...
P6SMB36AHE3
P6SMB36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 u...