IRF7504
IRF7504,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=270mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGW30N60HS
SGW30N60HS,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:41 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
IRLR3705Z
IRLR3705Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT40V60DF
STGWT40V60DF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询...
ATF-331M4-BLK
ATF-331M4-BLK,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
IRF6620
IRF6620,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4610
IRFB4610,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=73A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PC40WPBF
IRG4PC40WPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
FZ3600R17KE3
FZ3600R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:4800 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
BF511,215
BF511,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:20 V; 最大连续漏极电流:30 mA; 最大漏极栅极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-...
FF400R17KF6C_B2
FF400R17KF6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-10,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRGC4066B
IRGC4066B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKB10N60TATMA1
IKB10N60TATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-263-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:20 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IHW20N120R3FKSA1
IHW20N120R3FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:40 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...
FS75R12KT4_B11
FS75R12KT4_B11,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-25,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:25; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致电...
IRFR120N
IRFR120N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=210.0mOhms,Id=9.1A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7307
IRF7307,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=12V,RDS(on)4.5V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=90.0mOhms,RDS(on)2.7V N-ch=70.0mOhms,RDS(on)2.7V P-ch...
IRG4CC60UB
IRG4CC60UB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW30NC60VD
STGW30NC60VD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...