STGW40V60F
STGW40V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
BSM150GT120DN2
BSM150GT120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:39TRIPACK,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:39; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
IRFH7084
IRFH7084,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=265A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW50N65H5FKSA1
IKW50N65H5FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ...
IRFR2607Z
IRFR2607Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=22.0mOhms,Id=45A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLL2703
IRLL2703,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SOT-223封装,参数为:VBrds=30V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-GB50YF120N
VS-GB50YF120N,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:35-Pin ECONO2 4PAK,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:66 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...
IRFH5025
IRFH5025,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=250V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Id=32A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FP35R12KT4
FP35R12KT4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:23-Pin ECONO 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:23; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:35 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
IRFH8334PBF-1
IRFH8334PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9mOhms,Id=44A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2807Z
IRF2807Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.4mOhms,Id=89A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PH50UD
IRG4PH50UD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=2.78V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP150M
IRFP150M,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=36.0mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGD7NB120S-1
STGD7NB120S-1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:10 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电...
HGTP14N36G3VL
HGTP14N36G3VL,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:390 V; 最大连续集电极电流:18 A; 最大栅极发射极电压:±10 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-...
MMBFJ202
MMBFJ202,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRFU7746
IRFU7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-PAK封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.2mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FB15R06KL4_B1
FB15R06KL4_B1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:22-Pin EASY2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:22; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:19 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-...
IRFB7746
IRFB7746,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=10.6mOhms,Id=59A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
APT33GF120LRDQ2G
APT33GF120LRDQ2G,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Microsemi,封装:TO-264-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:64 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买...