FZ400R17KE3
FZ400R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:4-Pin 62MM,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:620 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报...
IRF6215
IRF6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=290.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-1...
2SK932-23-TB-E
2SK932-23-TB-E,场效应晶体管,品牌:ON,封装:CP-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大漏极栅极电压:-15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRF8910PBF-1
IRF8910PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM5964-16UL
TIM5964-16UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:14000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
FS100R12KE3
FS100R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:35-Pin ECONoPACK 3B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:35; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:140 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询...
FF1200R17KE3_B2
FF1200R17KE3_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM130-10,参数:配置:Dual Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:10; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1700 A; 最大栅极发射极电压:±20...
IRG4BC20S
IRG4BC20S,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=10A,Vce(ON)@25C typ=1.40V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SGP15N120XKSA1
SGP15N120XKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
FS30R06W1E3
FS30R06W1E3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:21-Pin EASY1B,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:21; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
VS-25MT060WFAPBF
VS-25MT060WFAPBF,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:MTP-16,参数:配置:Quad; 通道类型:N; 引脚数目:16; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389...
ATF-36163-TR2G
ATF-36163-TR2G,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single Quad Source; 最大漏源电压:3 V; 最大连续漏极电流:40 mA; 最大门源电压:-3 V; 最大漏极栅极电压:-3.5 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface ...
FZ1600R12KL4C
FZ1600R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM-7,参数:配置:Dual Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:2450 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式...
FD401R17KF6C_B2
FD401R17KF6C_B2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM73-8,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:8; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:650 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
IRFH3702
IRFH3702,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3 x 3封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.1mOhms,Id=42A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB4115
IRFB4115,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=104A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC30KD
IRG4BC30KD,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=16A,Vce(ON)@25C typ=2.21V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BF861C,215
BF861C,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:25 V; 最大门源电压:25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83...
IRG4BC30FDSTRRP
IRG4BC30FDSTRRP,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRF8313
IRF8313,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=21.6mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562