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STGW40H120DF2

STGW40H120DF2,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-5...

NGTB15N120LWG

NGTB15N120LWG,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

FGH40T65SHD_F155

FGH40T65SHD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 17...

SGH30N60RUFDTU

SGH30N60RUFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:48 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...

IRLH5034

IRLH5034,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

FF1400R17IP4PBOSA1

FF1400R17IP4PBOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:1400 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报...

IRG4PC30FPBF

IRG4PC30FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:31 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...

IRG4IBC30UDPBF

IRG4IBC30UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:17 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755...

IRF7799L2

IRF7799L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=250V,VGs=30V,RDS(on) Max 10V=38.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRG4PH50UDPBF

IRG4PH50UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:45 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...

IRG4IBC20KDPBF

IRG4IBC20KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:11.5 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:07...

IRFB7740

IRFB7740,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=87A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

2N4858A-E3

2N4858A-E3,场效应晶体管,品牌:Vishay,封装:TO-206AA-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:-40 V; 工作温度:-55 to 200 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

IRF7606

IRF7606,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=90.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=150.0mOhms,Qg Typ=20.0nC,Rth(JC)=70 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致...

FZ400R33KL2C_B5

FZ400R33KL2C_B5,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHV73-5,参数:配置:Single Dual Collector Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:5; 最大集电极发射极电压:3300 V; 最大连续集电极电流:750 A; 最大栅极发射极电压:±20 V...

IRFZ44V

IRFZ44V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=16.5mOhms,Id=55A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRFI3205

IRFI3205,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SGP10N60RUFDTU

SGP10N60RUFDTU,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...

IRGP35B60PDPBF

IRGP35B60PDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...