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IRFH6200

IRFH6200,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:N-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 5 x 6 B/E
  • 描述:N沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 100A
  • Description:N-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 5 x 6 B/E
  • 描述:N沟道功率MOS管

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