MJD117
MJD117,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
MMBTA13LT3G
MMBTA13LT3G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@...
BA12003BF-E2
BA12003BF-E2,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@35...
2N6034G
2N6034G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@2A@3V|500@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3@...
BD646-S
BD646-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|2.5@50mA@5A V; 最大集电极...
2SD1509Q
2SD1509Q,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@1A V; 最大集电极基极电压:80...
BST61,115
BST61,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱...
ULN2003APW
ULN2003APW,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
NJD35N04T4G
NJD35N04T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:2000@2A@2V|300@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@20mA@2A V; 最大集电极...
PMBTA64,215
PMBTA64,215,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0....
E-L6220
E-L6220,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:1.8 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBTA14-7-F
MMBTA14-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
ZXTN04120HFFTA
ZXTN04120HFFTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23F-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:3000@50mA@5V|3000@500mA@5V|3000@1A@5V|1000@2A...
BCV29,115
BCV29,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@1mA@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@...
BU941ZT
BU941ZT,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:300@5A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@100mA@8A|1....
BSP52T3G
BSP52T3G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和...
ULN2803AFWG,C,EL
ULN2803AFWG,C,EL,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1....
ULN2003AIDG4
ULN2003AIDG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
BSP62,115
BSP62,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极...
2N6287G
2N6287G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:100@20A@3V|750@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@40mA@10A|3@200mA@2...