SN75469DG4
SN75469DG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
SN75469DE4
SN75469DE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
ULN2003AIPWRG4
ULN2003AIPWRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface ...
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(CNHZN),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1...
TIP127
TIP127,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12...
ULQ2003ATDQ1
ULQ2003ATDQ1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.25mA@0.1A|1.4@0.35mA@0.2A|1.7@0.5mA@0.35A V...
MPSA13
MPSA13,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1183TL
2SB1183TL,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1.2mA@0.6A V; 最大集电极基极电压:40 V; 安装方式:Surface ...
ULN2003AIN
ULN2003AIN,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Through Hole....
TIP100-S
TIP100-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80mA@...
TD62308AFG(O,S,EL)
TD62308AFG(O,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:HSOP-18,参数:配置:Quad; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@1.25A|1.3@0.75A V; 安装方式:Surface M...
MMBTA64
MMBTA64,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=800mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BDX53C
BDX53C,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极...
MMBTA13LT1G
MMBTA13LT1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@...
BDX33C
BDX33C,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@4A|2.5@6mA@3A V;...
BSP61H6327XTSA1
BSP61H6327XTSA1,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压...
TIP120
TIP120,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPSA29
MPSA29,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=12V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJ11016G
MJ11016G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:30 A; 最小DC直流电流增益:200@30A@5V|1000@20A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:3@200mA@20A|4@300m...
MPSA29
MPSA29,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.0...