BST52
BST52,贴片达林顿晶体管,由NXP原厂生产,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=500mA,BVcbo=90V,BVceo=80V,hfe(Min)=2000,Vce(sat)=1.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJH11019G
MJH11019G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:200 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V|400@10A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@100mA@10A|4@15...
BDX34BG
BDX34BG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电压:80 V; 安...
BCV47TA
BCV47TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|10000@100mA@5V|2000@500mA...
2N6287G
2N6287G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:100@20A@3V|750@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@40mA@10A|3@200mA@2...
ULN2004AIDR
ULN2004AIDR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V;...
ULN2003ADR2G
ULN2003ADR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250u...
BD645-S
BD645-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|2.5@50mA@5A V; 最大集电极...
2SD1223(TE16L1,NQ)
2SD1223(TE16L1,NQ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V|1000@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电...
MJD112
MJD112,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
BST52,135
BST52,135,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
ULN2804AFWG,C,EL
ULN2804AFWG,C,EL,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1....
BCV46TA
BCV46TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|10000@100mA@5V|2000@500mA...
TIP117G
TIP117G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基...
BDX54B
BDX54B,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极基极电压:80 V; ...
ULN2003ADG4
ULN2003ADG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
MJD112TF
MJD112TF,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8...
DS2003CMX/NOPB
DS2003CMX/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100...
MJD122
MJD122,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=8000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP49E6327
BCP49E6327,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|1000...