MPSA29
MPSA29,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.0...
MJH6287G
MJH6287G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:100@20A@3V|750@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@40mA@10A|3@200mA@...
BCV27,215
BCV27,215,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@1mA@5V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱...
ULN2804APG(O,NM)
ULN2804APG(O,NM),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1...
DS2003TM/NOPB
DS2003TM/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100m...
MMBTA64
MMBTA64,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=800mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N6039G
2N6039G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@2A@3V|500@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3@...
BCV27 E6327
BCV27 E6327,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@0.1mA@1V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|200...
MJD117
MJD117,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
SN75469DE4
SN75469DE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...
MJD112T4G
MJD112T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
ULN2064B
ULN2064B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
TIP127
TIP127,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12...
BC373RL1G
BC373RL1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:8000@250mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.25mA@250...
ULQ2004ATDRG4Q1
ULQ2004ATDRG4Q1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.25mA@0.1A|1.3@0.35mA@0.2A|1.6@0.5mA@0.35...
KSD560RTSTU
KSD560RTSTU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:2000@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@3mA@3A V; 最大集电极基极...
ULN2003AIDRG4
ULN2003AIDRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mo...
BCV49,135
BCV49,135,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@1mA@5V|4000@10mA@5V|10000@100mA@5...
FZTA14TA
FZTA14TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|5000@1A@...
ULN2803ADWR
ULN2803ADWR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...