ULN2003BPWR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V...
BCV47 E6327,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.5A@5V|10000@100mA@5V|4000@10mA@5V|2000@...
KSD1692,达林顿晶体管,由Fairchild原厂生产,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=150V,BVceo=100V,BVebo=8V,hfe(Min)=200020000,Vce(sat)=1.2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BST52,135,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
SN75469D,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount....
BD677,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:6...
MPSA29G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.01mA@10...
MJD112,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003AFWGSCELM,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
BCX38CSTZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:5000@100mA@5V|10000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.25@8mA...
TIP105,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80...
FMMTA14TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.9@0.1...
TIP110,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电...
TIP112,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=2.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DS2003CMX,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V;...
ULN2003AFWG(O,NEHZ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1....
BCV49TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|10000@100m...
ULN2003ADR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250u...
TIP127,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJ11015G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:30 A; 最小DC直流电流增益:200@30A@5V|1000@20A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:3@200mA@20A|4@300m...
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