TIP110
TIP110,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=2.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2003AFWG(C,NEHZ)
ULN2003AFWG(C,NEHZ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1....
ULN2003APG,CN
ULN2003APG,CN,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@200m...
ULQ2003ADR
ULQ2003ADR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@100mA|1.4@200mA|1.7@350mA V; 安装方式:Surface Mount...
TD62083AFG(O,N,EL)
TD62083AFG(O,N,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3@2...
BSP61,115
BSP61,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极...
TIP136-S
TIP136-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:500@1A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|3@30mA@6...
ULN2803APG(CNHZN)
ULN2803APG(CNHZN),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1...
BD677ASTU
BD677ASTU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:...
2SD2142KT146
2SD2142KT146,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@3V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@...
2SD1980TL
2SD1980TL,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1mA@1A V; 最大集电极基极电压:100 V; ...
BCV47E6433
BCV47E6433,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.5A@5V|10000@100mA@5V|4000@10mA@5V|2000@0...
NJVNJD35N04G
NJVNJD35N04G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:2000@2A@2V|300@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@20mA@2A V; 最大集电...
MPSA29G
MPSA29G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0.01mA@10...
UDN2982LW-T
UDN2982LW-T,三极管,达林顿管,品牌:Allegro,封装:SOIC-18 W,参数:配置:Octal; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@100mA|1.9@225mA|2@350mA V; 安装方式:Surfa...
BD675AS
BD675AS,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:45...
MJ3001
MJ3001,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@20mA@5A|4@50mA@10A...
ESM3030DV
ESM3030DV,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:300 V; 峰值DC直流集电极电流:100 A; 最小DC直流电流增益:300(Typ)@85A@5V; 最大集电极发射...
TIP120G
TIP120G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@5...
MJD112
MJD112,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...