DS2003TMX
DS2003TMX,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V;...
MJE803G
MJE803G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2...
BCV48E6327/SN
BCV48E6327/SN,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.01mA@1V|4000@10mA@5V|1...
ULN2003AIDRG4
ULN2003AIDRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mo...
MMSTA13-7-F
MMSTA13-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
TIP126G
TIP126G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@5...
BD679G
BD679G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A V; 最大集电极基极电压:80 V; ...
ULN2003AIPWR
ULN2003AIPWR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mo...
L6220
L6220,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:1.8 A; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
ZTX601B
ZTX601B,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:160 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:5000@50mA@10V|10000@500mA@10V|5000@1A@10V; 最大集电极发射极饱和...
MJD117
MJD117,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
NZT605
NZT605,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:110 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@2A@5V|300@1.5A@5V|2000@1A@5V|5000@500mA@5V|2...
BST60,115
BST60,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
E-ULN2003A
E-ULN2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA...
TIP142TTU
TIP142TTU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A...
NJVMJD122T4G
NJVMJD122T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@4A|4@80mA@8A...
CZT127
CZT127,贴片达林顿晶体管,由CJ原厂生产,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,fr=4MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP132
TIP132,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:500@1A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16mA@...
NJVNJD35N04T4G
NJVNJD35N04T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:2000@2A@2V|300@4A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@20mA@2A V; 最大...
BDX33C
BDX33C,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电压:100...