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【P沟道场效应管】IRF9530NS
IRF9530NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-1... -
【P沟道场效应管】IRF9Z34NS
IRF9Z34NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=19A,... -
【P沟道场效应管】IRLR9343
IRLR9343,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation... -
【P沟道场效应管】IRFR9024N
IRFR9024N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=38W,Id@TC 25C=11A,库... -
【P沟道场效应管】IRFR9120N
IRFR9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-6.5... -
【P沟道场效应管】IRLIB9343
IRLIB9343,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220 FullPak (Iso)封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=3.84K/W,... -
【P沟道场效应管】IRFP9140N
IRFP9140N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=120W,Id@TC 25C=... -
【P沟道场效应管】IRF9520N
IRF9520N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=48W,Id@TC 25C=-6... -
【P沟道场效应管】IRF9530N
IRF9530N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=79W,Id@TC 25C=-1... -
【P沟道场效应管】IRF9Z34N
IRF9Z34N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C=56W,Id@TC 25C=-17... -
【P沟道场效应管】IRF9Z24N
IRF9Z24N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=45W,Id@TC 25C=-12... -
【P沟道场效应管】IRF4905
IRF4905,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-7... -
【P沟道场效应管】IRF9540N
IRF9540N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=140W,Id@TC 25C=-... -
【P沟道场效应管】IRFY9120
IRFY9120,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-257AA封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,Id@TC 25C=-5.3A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF8910PBF-1
IRF8910PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7509PBF-1
IRF7509PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro-8封装,参数为:VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=175.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=400.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=110.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=2... -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7904PBF-1
IRF7904PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7389PBF-1
IRF7389PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOh... -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7309PBF-1
IRF7309PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=80.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=160.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V ... -
【双N-双P沟道MOS管】IRF9910PBF-1
IRF9910PBF-1,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=20V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=11.3mOhms,Rth(JA)=62.5(JA)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562