• 登录
社交账号登录

IRF9520N

IRF9520N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=48W,Id@TC 25C=-6.8A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:TO-220AB
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
  • Qg(Typ): 18.0nC
  • Rth(JC): 3.1K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 48W
  • Id@TC 25C: -6.8A
  • 品牌:IR
  • 封装:TO-220AB
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

产品推荐