注册账号 | 忘记密码
IRF9Z34N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C=56W,Id@TC 25C=-17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74HC125PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
25160AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
74LVC1G02GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74HC14DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
SN74HCT02DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
SN74LVC86APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...
ATMEGA8515L-8AU单片机,微控制器由ATMEL原...
25256B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
74HC374PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...