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IRF9Z34N

IRF9Z34N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C=56W,Id@TC 25C=-17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:TO-220AB
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Qg(Typ): 23.3nC
  • Rth(JC): 2.7K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 56W
  • Id@TC 25C: -17A
  • 品牌:IR
  • 封装:TO-220AB
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

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