注册账号 | 忘记密码
IRF9Z24N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=45W,Id@TC 25C=-12A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
89C51-24PI单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采...
ATMEGA169P-16AU单片机,微控制器由ATMEL原...
SN74HC32DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
74HC20D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
ATMEGA48V-10AU单片机,微控制器由ATMEL原厂...
74LVC2G07GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
74HC574D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74HC174D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
SN74LVC2G125DCUR低功耗CMOS逻辑IC由TI...