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【P沟道场效应管】IRFU9120N
IRFU9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480mOhms,Qg Typ=18nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-4.1A,库存... -
【P沟道场效应管】IRFHS9301
IRFHS9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=6.9nC,Rth(JC)=13K/W,Id@TC 25C=-13A,... -
【P沟道场效应管】IRFHM9331
IRFHM9331,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3 x 3封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,Qg Typ=16.0nC,Rth(JC)=6.0K/W,Id@TC 25C=-24A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897... -
【P沟道场效应管】IRF9392
IRF9392,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【P沟道场效应管】IRF9332
IRF9332,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=17.5mOhms,RDS(on) Max 4.5V=28.1mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07... -
【P沟道场效应管】IRF9333
IRF9333,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,RDS(on) Max 4.5V=32.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07... -
【P沟道场效应管】IRF9388
IRF9388,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【P沟道场效应管】IRF9335
IRF9335,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=110.0mOhms,Qg Typ=4.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07... -
【P沟道场效应管】IRF9393
IRF9393,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【P沟道场效应管】IRF9328
IRF9328,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=19.7mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07... -
【P沟道场效应管】IRLML9303
IRLML9303,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=165.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=270.0mOhms,Qg Typ=2.0nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存... -
【P沟道场效应管】IRLML9301
IRLML9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=64.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=103.0mOhms,Qg Typ=4.8nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实... -
【P沟道场效应管】IRF9317
IRF9317,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=10.2mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:075... -
【P沟道场效应管】IRF9321
IRF9321,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,RDS(on) Max 4.5V=11.2mOhms,Qg Typ=34.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:075... -
【P沟道场效应管】IRF9310
IRF9310,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=6.8mOhms,Qg Typ=58.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755... -
【P沟道场效应管】IRF9540NL
IRF9540NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=140W,Id@TC 25C=-2... -
【P沟道场效应管】IRF4905L
IRF4905L,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Qg Typ=120.0nC,Rth(JC)=0.75K/W,Power Dissipation@TC 25C=200W,Id@TC 25C=-74... -
【P沟道场效应管】IRF9Z24NS
IRF9Z24NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=45W,Id@TC 25C=-12A... -
【P沟道场效应管】IRF9Z34NL
IRF9Z34NL,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=-19A... -
【P沟道场效应管】IRF9520NS
IRF9520NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480.0mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=3.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-6...