注册账号 | 忘记密码
IRF9333,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,RDS(on) Max 4.5V=32.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT89C51CC010UA-RLTUM单片机,低功耗高性能...
AT25040B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
CD4013BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...
AT89LS51-16AU单片机,低功耗高性能的CMOS 8...
25256B-SHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
SN74AHC1G14DBVR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
74LVC573AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
SN74LV74ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
74LVC1G04GV低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...