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首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > P沟道场效应管
IRF9317
IRF9317

IRF9317

IRF9317,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=10.2mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description：P-channel Power MOSFET
  • 品牌：IR
  • 封装：SO-8
  • 描述：P沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.6m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 10.2mΩ
  • Qg(Typ): 31.0nC
  • Rth(JC): 50 (JA)K/W
  • Description：P-channel Power MOSFET
  • 品牌：IR
  • 封装：SO-8
  • 描述：P沟道功率MOS管

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