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IRFHS9301

IRFHS9301,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=37.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=6.9nC,Rth(JC)=13K/W,Id@TC 25C=-13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:P-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 2 x 2
  • 描述:P沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 37.0m?
  • RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
  • Qg(Typ): 6.9nC
  • Rth(JC): 13K/W
  • Id@TC 25C: -13A
  • Description:P-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 2 x 2
  • 描述:P沟道功率MOS管

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