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IRFU9120N

IRFU9120N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=480mOhms,Qg Typ=18nC,Rth(JC)=3.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=39W,Id@TC 25C=-4.1A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:P-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:I-Pak
  • 描述:P沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 480mΩ
  • Qg(Typ): 18nC
  • Rth(JC): 3.2K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 39W
  • Id@TC 25C: -4.1A
  • Description:P-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:I-Pak
  • 描述:P沟道功率MOS管

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