TPD3E001DRLR
TPD3E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
TPD3E001DRLRG4
TPD3E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
TPD3E001DRSR
TPD3E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
TPD3E001DRYR
TPD3E001DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
TPD3E001DRYRG4
TPD3E001DRYRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±...
TPD4E001DBVR
TPD4E001DBVR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±...
TPD4E001DCKR
TPD4E001DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
TPD4E001DPKR
TPD4E001DPKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
TPD4E001DPKT
TPD4E001DPKT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
TPD4E001DRLR
TPD4E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
TPD4E001DRLRG4
TPD4E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
TPD4E001DRSR
TPD4E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
TPD4E001QDBVRQ1
TPD4E001QDBVRQ1,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:16(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@HBM|8@Contac...
TPD4E004DRYR
TPD4E004DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流:0...
TPD4E004DRYRG4
TPD4E004DRYRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流...
TPD4E05U06DQAR
TPD4E05U06DQAR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SON-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Contac...
TPD4E05U06QDQARQ1
TPD4E05U06QDQARQ1,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14(Typ) V; 每芯片单元数目:4; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电流:0...
TPD4E101DPWR
TPD4E101DPWR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:X2SON-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:13(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc ...
TPD4E110DPWR
TPD4E110DPWR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:X2SON-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Con...
TPD4E1B06DCKR
TPD4E1B06DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±18@Air Gap/±18@Contact Dis...