MLVB04V18C001
MLVB04V18C001,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:110 V; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:1 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温...
MLVB04V18C003
MLVB04V18C003,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:58 V; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:3 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度...
MLVB04V18C0R5
MLVB04V18C0R5,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:250 V; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:0.5 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工...
MLVB06V09C005
MLVB06V09C005,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:35 V; 最大工作电压:9 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:5 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:...
MLVB06V18C001
MLVB06V18C001,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:110 V; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:1 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温...
MLVB06V18C003
MLVB06V18C003,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:58 V; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:3 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度...
MLVB06V18C0R5
MLVB06V18C0R5,多层压敏电阻ESD抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:CSMD-2,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:250 V; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:0.5 pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工...
MMAD1103/TR13
MMAD1103/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
MMAD1103E3/TR13
MMAD1103E3/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电...
MMAD1108
MMAD1108,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:75 V;...
MMAD1108/TR13
MMAD1108/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:...
MMAD1108E3/TR13
MMAD1108E3/TR13,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:16; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电...
MMBZ15VDLT3G
MMBZ15VDLT3G,稳压型ES抑制器,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Zener; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:21.2 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM KV; 最大工作电压:12.8 V; 最大...
NUP1301,215
NUP1301,215,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM ...
NUP1301ML3T1G
NUP1301ML3T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最...
NUP1301U,115
NUP1301U,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM kV...
NUP2201MR6T1G
NUP2201MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc/16@HBM...
NUP2301MW6T1G
NUP2301MW6T1G,ESD静电抑制器,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:引脚数量:6; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最大漏电流:2.5 uA; 电容值:3 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:15...
NUP4106DR2G
NUP4106DR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工...
NUP4302MR6T1G
NUP4302MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:16(Min)@HBM kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电流:30 uA; 电容值:...