1.5SMCJ120CA_R2_10001, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 1.5KW,品牌:Panjit,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.9 A; 最大...
1SMB20AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
SMBG85AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMC3K26CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 26V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 71.3 A; ...
SM5S24AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 3.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3600 W; 最大峰值脉冲电流: 93 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ7.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41.7 A; 最大反向漏电...
LC54, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.6 A; 最大反向漏电流: 10 ...
MAX14541EAXK+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:SC-70-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:116 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
SMAJ70CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
1.5KE220CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 185V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流:...
CD214B-T7.0CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 400 ...
5KP60AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 52 A; 最大反向漏电流: ...
CG0603MLC-12E,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:2-Pin Case 0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 引脚数量:2; 最大钳位电压:30(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±25(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact Dis...
SMCJ6044AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大反向漏电...
5KP22E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 127 A; 最大反向漏电流: ...
1N5558, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 175V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.7 A; 最大反向漏电流: 5...
BZW04-15B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 71 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳...
RCLAMP7002M.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:MSOP-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14.3 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Dis...
SMAJ85CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SZ1SMB58CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大...
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