TPD4E1U06DBVR
TPD4E1U06DBVR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap|±15@C...
TPD4E1U06DCKR
TPD4E1U06DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Dis...
TPD4EUSB30DQAR
TPD4EUSB30DQAR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最...
TPD4S009DBVR
TPD4S009DBVR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; ...
TPD4S009DBVRG4
TPD4S009DBVRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V...
TPD4S009DCKR
TPD4S009DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 电...
TPD4S009DCKRG4
TPD4S009DCKRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
TPD4S009DGSR
TPD4S009DGSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:VSSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
TPD4S009DRYR
TPD4S009DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 电容...
TPD4S010DQAR
TPD4S010DQAR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 电...
TPD4S012DRYR
TPD4S012DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±10@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 电容值:15 pF; 最低工...
TPD4S014DSQR
TPD4S014DSQR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc/±2@HBM kV; 最大工作电...
TPD5E003DPFR
TPD5E003DPFR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:X2SON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.5(Typ) V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Dis...
TPD6E001RSER
TPD6E001RSER,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:UQFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±...
TPD6E001RSERG4
TPD6E001RSERG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:UQFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
TPD6E001RSFR
TPD6E001RSFR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WQFN-12 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Dis...
TPD6E001RSFRG4
TPD6E001RSFRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WQFN-12 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:12; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact D...
TPD6E004RSER
TPD6E004RSER,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:UQFN-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流:0...
TPD6E004RSERG4
TPD6E004RSERG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:UQFN-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±12@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流...
TPD6E05U06RVZR
TPD6E05U06RVZR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:UQFN-14,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Hex; 引脚数量:14; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14(Typ) V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@C...