TBU-CA025-300-WH
TBU-CA025-300-WH,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±2@HBM kV; 最大工作电压:100 V; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:125 ℃; ...
TBU-CA025-500-WH
TBU-CA025-500-WH,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±2@HBM kV; 最大工作电压:100 V; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:125 ℃; ...
TCLAMP2502N.TCT
TCLAMP2502N.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SLP-10 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:25 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Air Gap/30@Contact ...
TPD2E001DRLR
TPD2E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
TPD2E001DRLRG4
TPD2E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
TPD2E001DRSR
TPD2E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
TPD2E001DRST-NM
TPD2E001DRST-NM,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Di...
TPD2E001DRYR
TPD2E001DRYR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
TPD2E001DRYRG4
TPD2E001DRYRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±...
TPD2E001DZDR
TPD2E001DZDR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
TPD2E007DCKR
TPD2E007DCKR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SC-70-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最大漏电流:...
TPD2E007YFMRG4
TPD2E007YFMRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:PicoStar-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最...
TPD2E007YFMTG4
TPD2E007YFMTG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:DSLGA-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap|±8@Contact Disc|±15@HBM...
TPD2E009DBZR
TPD2E009DBZR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
TPD2E009DRTR
TPD2E009DRTR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电...
TPD2E1B06DRLR
TPD2E1B06DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:15(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air|10@Contact Dis...
TPD2E2U06DRLR
TPD2E2U06DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.4(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap|±25@Co...
TPD2E2U06DRLR-P
TPD2E2U06DRLR-P,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.4(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±30@Air Gap|±25@...
TPD2EUSB30ADRTR
TPD2EUSB30ADRTR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
TPD2EUSB30DRTR
TPD2EUSB30DRTR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工...