SESD0201P1BN-0400-090,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:CSP-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±16@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:5 ...
SESD0201X1UN-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
SESD0402P1BN-0450-090,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:CSP-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±16@Air Gap/±10@Contact Disc kV; 最大工作电压:6 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:5...
SESD0402Q2UG-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
SESD0402X1BN-0010-098,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Disc ...
SESD0402X1UN-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
SESD0802Q4UG-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
SMDA05CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:11 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
SMDA12CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:24 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
SMDA15CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:30 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
SMDA24CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:55 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
SMX1J7.5A-TR,ESD静电抑制器,品牌:ST Micro,封装:UQFN-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM kV; 最大工作电压:7.5 V; ...
SMX1J7.5A-TR,ESD静电抑制器,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc/25@HBM kV; 最大工作...
SR05TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV;...
SR12.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:31 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV...
SR2.8.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc ...
SR3.3.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc k...
SR70.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:7 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最...
SRDA05-4.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc k...
SRDA05-6.TBT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOIC-8,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc K...
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