DESD1P0RFWQ-7

DESD1P0RFWQ-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:8 V; ESD保护电压:±30@Air Gap/±30@Contact Disc kV; 最大工作电...

DF10G7M1N,LF

DF10G7M1N,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:DFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±8@Contact Dis...

DF2B12M1CT(TPL3)

DF2B12M1CT(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:CST-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact ...

DF2B12M2SC(TPL3)

DF2B12M2SC(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:SC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact D...

DF2B6.8E,L3F

DF2B6.8E,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:ESC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最...

DF2B6.8FS

DF2B6.8FS,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:fSC-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc KV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电...

DF2B6.8FS(TPL4,D)

DF2B6.8FS(TPL4,D),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:fSC-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0...

DF2B6.8FS,L3F

DF2B6.8FS,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:fSC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:8.5 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV...

DF2B7M2SL,L3F

DF2B7M2SL,L3F,ESD静电抑制器,品牌:Toshiba,封装:SL-2,参数:类型:ESD Protection Diode; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap|±12@Co...

DF2B7M3SC,L3F

DF2B7M3SC,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:SC-2,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:13.5(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Di...

DF2B7SL,L3F

DF2B7SL,L3F,ESD静电抑制器,品牌:Toshiba,封装:SL-2,参数:类型:ESD Protection Diode; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:16 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±20@Air Gap|±17@Cont...

DF3A6.8UFU,LF

DF3A6.8UFU,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最...

DF3D6.8MFV,L3F

DF3D6.8MFV,L3F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV...

DF3S6.8ECT(TPL3)

DF3S6.8ECT(TPL3),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:CTS-3,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V...

DF6D7M1N,LF

DF6D7M1N,LF,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:DFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±8@Contact Disc k...

DLPT05-7

DLPT05-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.8 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Air Gap/30@Contact Disc/8@HB...

DLPT05-7-F

DLPT05-7-F,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.8 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Air Gap/30@Contact Disc/8@...

DMF05LCFLP-7

DMF05LCFLP-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:DFN-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.5 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:30@Air Gap/30@Contact Disc...

DPIULC6-6DJL

DPIULC6-6DJL,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:DFN-18 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:18; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc...

DS9503P+

DS9503P+,稳压型ES抑制器,品牌:Maxim,封装:TSOC-6,参数:类型:Zener; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:27(Min) kV; 最大漏电流:0.1 uA; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Sur...