MJE172
MJE172,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=3000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=7V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=250,Vce(sat)=1.7V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TD62064AFG(O,S,EL)
TD62064AFG(O,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:HSOP-18,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:800(Typ)@1A@2V|1500(Typ)@1.25A@2V; 最大集电极发射极...
UMG6NTR
UMG6NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
BD436S
BD436S,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@5V|85@500mA@1V|50@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发...
TIP36C
TIP36C,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:25@1.5A@4V|10@15A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发...
PN2907ATFR
PN2907ATFR,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|5...
FCX495TA
FCX495TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@250mA@10V|50@500mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:1...
2SC4116-Y,LF
2SC4116-Y,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:6...
2SCR514PT100
2SCR514PT100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.7 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@15mA@3...
DTC143TM
DTC143TM,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX550
ZTX550,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@10V|15@1A@10V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
NSV40301MZ4T1G
NSV40301MZ4T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.5A@1V|200@1A@1V|100@3A@1V; 最大工作频率:215(Typ) MHz; 最大...
2SC5086-O(TE85L,F)
2SC5086-O(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-416-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:80@20mA@10V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 125...
TIP125
TIP125,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|1000@500mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4...
BFP183E7764HTSA1
BFP183E7764HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:70@15mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:...
MMBTA92
MMBTA92,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz...
DMB54D0UV-7
DMB54D0UV-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UV; 安装...
ULN2003D1
ULN2003D1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@10...
BC817K-25 E6327
BC817K-25 E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:170(Typ) MHz; 最...
PZTA14
PZTA14,贴片达林顿晶体管,由Fairchild原厂生产,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=20000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...