BCR533E6327HTSA1
BCR533E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
KSD1691
KSD1691,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1300mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=1.2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DCP55-13
DCP55-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
MJF47G
MJF47G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
MJE4343G
MJE4343G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-93-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:16 A; 最小DC直流电流增益:15@8A@2V|8@16A@4V; 最大工作频率:1(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:2@800mA@8A...
MMPQ3904
MMPQ3904,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOIC-16 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|50@1mA@1V|75@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA...
PBSS5240ZF
PBSS5240ZF,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|215@500mA@5V|145@1A@5V|55@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
2SD668A
2SD668A,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=50mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=2V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC846SH6433XTMA1
BC846SH6433XTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
MMST3906
MMST3906,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC5338-T1-AZ
2SC5338-T1-AZ,功率晶体管,品牌:Renesas,封装:Power Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:250@50mA@5V; 最大集电极基极电压:25 V; 工作温度:-65 to ...
DTC043TEBTL
DTC043TEBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-416FL-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
CPH5905H-TL-E
CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
PUMD6,115
PUMD6,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实...
PDTA143XT,215
PDTA143XT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
TIP32CG
TIP32CG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@...
BC856BMTF
BC856BMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5...
2SB688
2SB688,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=8000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=10+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1405(TE85L,F)
RN1405(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
STLD128DN
STLD128DN,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1@...