EMH2T2R
EMH2T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-838975...
2SA1615
2SA1615,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=10000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=10V,hfe(Min)=200,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.25V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
BC856AS-7
BC856AS-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
BC847CDXV6T1G
BC847CDXV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
PDTA144VMB,315
PDTA144VMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:40@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BC55PA,115
BC55PA,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:HUSON-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极...
DTC144TSA
DTC144TSA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2881-Y(TE12R,CF)
2SC2881-Y(TE12R,CF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极...
CPH5901G-TL-E
CPH5901G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
2SB1182TLQ
2SB1182TLQ,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:CPT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.5A@3V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.2A@2A V; ...
NSBA143ZF3T5G
NSBA143ZF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2DA1774Q-7-F
2DA1774Q-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5...
BC860C,235
BC860C,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
ULN2004ADRG4
ULN2004ADRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
FJA4313OTU
FJA4313OTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-3P(N)-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@...
DRDNB26W-7
DRDNB26W-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:600 mA; 最小DC直流电流增益:47@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8...
STT13005D
STT13005D,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:10@0.5A@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@125mA@0....
BFP193WH6327XTSA1
BFP193WH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:...
PBSS305NZ,135
PBSS305NZ,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:5.1 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|250@1A@2V|180@2A@2V|90@4A@2V|50@6A@2V; 最大工...
PZT2907A,115
PZT2907A,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@...