3DA5200A
3DA5200A,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=15000mA,BVcbo=200V,BVceo=200V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=3V,fr=30+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC114EETL
DTC114EETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-8...
BFR106E6327HTSA1
BFR106E6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:16 V; 最大DC直流集电极电流:0.21 A; 最小DC直流电流增益:70@70mA@8V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20...
2SC5729T106Q
2SC5729T106Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@50mA@2V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@10...
FMMTA14TA
FMMTA14TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.9@0.1...
SN75468DR
SN75468DR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
KSC5338D
KSC5338D,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:15@800mA@1V|6@2A@1V|18@1A@2.5V; 最大工作频率:11(Typ) MHz; 最...
BDW93C
BDW93C,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|750@5A@3V|100@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@20m...
MJB44H11T4
MJB44H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; ...
BCR512E6327HTSA1
BCR512E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:60@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
SMUN2240T1G
SMUN2240T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BFG505/X,235
BFG505/X,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.018 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65...
BD442
BD442,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:15@10mA@5V|40@500mA@1V|15@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz...
BC817DPN,125
BC817DPN,125,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min)@NPN|80(Min)@...
MJE802G
MJE802G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4...
MMST2907AT146
MMST2907AT146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@50...
PBSS4350T,215
PBSS4350T,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|200@2A@2V|100@3A@2V...
KSB1151YSTSTU
KSB1151YSTSTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:160@2A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@2A V; 最大集电极基极电压:60...
BCP69
BCP69,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@1V|85@500mA@1V|60@1A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@1...
BD034
BD034,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2500mA,BVcbo=110V,BVceo=95V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562