MMBT3904,215
MMBT3904,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
2N5551RLRAG
2N5551RLRAG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射极饱...
NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Chip FET-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@1A@2V|100@1.5A@2V|100@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最...
DDTA144EUA-7-F
DDTA144EUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
PHPT610035NKX
PHPT610035NKX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:LFPAK-56D-8,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@1V|150@500mA@10V|80@1A@10V|20@2A@10V|10@3A@10V;...
NSVBT2222ADW1T1G
NSVBT2222ADW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
50C02MH-TL-E
50C02MH-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@10mA@100...
DZT953-13
DZT953-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|50@3A@1V|30@4A@1V|15(Typ)@10A@1V; ...
ULN2003AFWG(O,NEHZ)
ULN2003AFWG(O,NEHZ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1....
2SA1082
2SA1082,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.2V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD1803S-E
2SD1803S-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:140@0.5A@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.15A@3A V; 最大...
BFR520,215
BFR520,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
2SA1586-GR,LF
2SA1586-GR,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:70@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:5...
MJD117T4
MJD117T4,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@...
2N6517CTA
2N6517CTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:20@1mA@10V|30@10mA@10V|30@30mA@10V|20@50mA@10V|15@100...
2PA1576R,115
2PA1576R,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:180@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50...
KSD363RTU
KSD363RTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:40@1A@5V; 最大工作频率:10(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.1A@1A...
BC516,126
BC516,126,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30000@20mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.01mA@100mA V; 最大集电极基极电压:...
2SA1084ETZ-E
2SA1084ETZ-E,功率晶体管,品牌:Renesas,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:90 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:400@2mA@12V; 最大工作频率:90(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@1mA...
STN826
STN826,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@2V|80@1A@2V|30@3A@2V; 最大工作频率:100(Typ) ...