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BC859CW,115

BC859CW,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...

2SC6096-TD-H

2SC6096-TD-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562

MPS650G

MPS650G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:75@50mA@2V|75@500mA@2V|75@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:75(Min) MHz; 最大集...

NSBC123TDP6T5G

NSBC123TDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

MUN5213DW1T3G

MUN5213DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...

2SD1207S

2SD1207S,功率晶体管,品牌:ON,封装:Case-3 MP,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A V;...

DMB54D0UDW-7

DMB54D0UDW-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UDW; ...

ULN2004AINSR

ULN2004AINSR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@500uA@350mA V;...

BCR198E6327

BCR198E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...

MJE5731AG

MJE5731AG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:375 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@...

BUT11A

BUT11A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.5A@2.5A V; 最大集电极基极电压:1000 V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...

DCP69A-16-13

DCP69A-16-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@5mA@10V|85@500mA@1V|40@1A@1V|100@500mA@1V; 最大工作频率:2...

LBC846BPDW1T1G

LBC846BPDW1T1G,功率晶体管,品牌:LESHAN(LRC),封装:SC-88-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...

BFR92P E6327

BFR92P E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.045 A; 最小DC直流电流增益:70@15mA@8V; 最大工作频率:5000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V;...

SS9014DBU

SS9014DBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:400@1mA@5V; 最大工作频率:270(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@5mA@...

PDTA144WE,115

PDTA144WE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...

MJE5852

MJE5852,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:15@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@1A@4A|5@3A@8A ...

2SB1182

2SB1182,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...

2SC5344

2SC5344,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

KST2907AMTF

KST2907AMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V...