A1015
A1015,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DSS5240V-7
DSS5240V-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1.8 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@100mA@5V|250@500mA@5V|160@1A@5V|50@2A@5...
MMST2222A
MMST2222A,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=600mA,BVcbo=75V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=1V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SG2823J-883B
SG2823J-883B,三极管,达林顿管,品牌:Microsemi,封装:CDIP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:95 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1....
BC847CM,315
BC847CM,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10mA...
QSZ4TR
QSZ4TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-5,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.37@75mA@1.5...
BCR146E6327HTSA1
BCR146E6327HTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:70 mA; 最小DC直流电流增益:50@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
MJE5850G
MJE5850G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:15@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2@1A@4A|5@3A@8A V; 工作温度:-65 t...
NSBA114TDP6T5G
NSBA114TDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
FMMT634QTA
FMMT634QTA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.9 A; 最大集电极发射极饱和电压:0.96@5mA@1A|0.75@1mA@100mA|0.8@1mA@250mA|0.85@...
ST13007
ST13007,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:16@2A@5V|5@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@2A|2@1A@5...
NE85630-R25-A
NE85630-R25-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; ...
DDTD123TU-7-F
DDTD123TU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
DVR2V5W-7
DVR2V5W-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:18 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:150@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@30mA@...
ULN2803AFWG,C,EL
ULN2803AFWG,C,EL,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1....
BC54-16PASX
BC54-16PASX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1061D-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最小DC直流电流增益:63@0.15A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@500mA@50mA V; 最大集电极基极电压:45 V; 工作温度:-55 to 1...
2SA2124-TD-E
2SA2124-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:询报价及购买请致电:0755-83897562
RN2401(TE85L,F)
RN2401(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface M...
BC848CW-7-F
BC848CW-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
PDTC123TU,115
PDTC123TU,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...