NSBC123JPDP6T5G
NSBC123JPDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
D45H8
D45H8,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4...
CPH6001A-TL-E
CPH6001A-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:90@30mA@5V|70@70mA@5V; 最大工作频率:5700(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V...
DTA124XKAT146
DTA124XKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
PUMD14,115
PUMD14,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BCV49E6327/SN
BCV49E6327/SN,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.1mA@1V|4000@10mA@5V|10000@100mA@5V|20...
STC03DE220HP
STC03DE220HP,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247HP-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-40 to 125 ℃; 所属系列:STC03DE220HP; 安...
KSD1021
KSD1021,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA63LT1G
MMBTA63LT1G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@100mA@5V|5000@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@...
2SB1119
2SB1119,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.7V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
PUMD10,125
PUMD10,125,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
BC847BW,135
BC847BW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10...
PUMD4,115
PUMD4,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BDW94CFTU
BDW94CFTU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:100@10A@3V|750@5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:...
BCP54TA
BCP54TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集...
BST52,135
BST52,135,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
2SC1008
2SC1008,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=800mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=8V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=30MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2804AFWG(C,ELHA)
ULN2804AFWG(C,ELHA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
RN1907,LF(CT)
RN1907,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
PBR941B,215
PBR941B,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:100@5mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度...